商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:IR
年份:20+
封裝:DIRECTFET
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4800 件

聯(lián)系人:
聯(lián)系郵箱:
聯(lián)系電話:
IRF6894MTRPBF 是一款 25V、170A 的 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,專為需要高效能和低功耗的嵌入式應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用 DIRECTFET? MX 封裝,具有極低的導(dǎo)通電阻(1.3mΩ)和低柵極電荷(26nC),適用于高電流和高效率的應(yīng)用場景。
規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DirectFET-MX
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 170 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 54 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: DirectFET
IRF6894MTRPBF 關(guān)鍵特性
高電流處理能力:支持高達(dá) 170A 的連續(xù)漏電流。
低導(dǎo)通電阻:1.3mΩ,確保高效能轉(zhuǎn)換。
低柵極電荷:26nC,減少開關(guān)損耗。
寬工作溫度范圍:-40°C 至 +150°C,適合各種環(huán)境條件。
多種保護(hù)功能:包括過溫保護(hù)和短路保護(hù),提高系統(tǒng)可靠性。
IRF6894MTRPBF 應(yīng)用領(lǐng)域
電源管理:如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等。
電機(jī)驅(qū)動:如電動工具、工業(yè)電機(jī)等。
汽車電子:如電動汽車的牽引逆變器、車載充電器等。
通信設(shè)備:如基站電源、通信模塊等。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

IR,即國際整流器公司,是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。國際整流器公司 (簡稱IR) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能運(yùn)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)乃全球最大之耗能設(shè)備) …
IRFB3077PBF
IRFB3077PBF 功率 MOSFET 采用成熟的硅工藝,為設(shè)計(jì)人員提供廣泛的器件組合,支持直流電機(jī)、逆變器、SMPS、照明、負(fù)載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用等各種應(yīng)用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝,具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基底面,便于設(shè)計(jì)。優(yōu)化的柵極驅(qū)動選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠靈活選擇超電…
IRF3808STRRPBF
這種先進(jìn)的平面條紋HEXFET功率MOSFET采用最新的工藝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。該HEXFET功率MOSFET的其他特點(diǎn)是175C結(jié)工作溫度、低RθJC、快速開關(guān)速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這種組合使該設(shè)計(jì)成為一種非常有效和可靠的選擇,適用于各種應(yīng)用。產(chǎn)品規(guī)格FET 類…
IRF3808STRLPBF
這種先進(jìn)的平面條紋HEXFET 功率MOSFET采用了最新的加工技術(shù),實(shí)現(xiàn)了單位硅面積的極低導(dǎo)通電阻。這種HEXFET功率MOSFET的其他特點(diǎn)是結(jié)點(diǎn)工作溫度為175℃,RθJC低,開關(guān)速度快,重復(fù)雪崩等級提高。這種組合使該設(shè)計(jì)成為在各種應(yīng)用中使用的極其有效和可靠的選擇。規(guī)格參數(shù)ET…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: