Qorvo QPD2060D 600μm  分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，該器件的輸出功率為2dBm（P1dB時(shí)），增益為12dB，功率附加效率為55%（1dB壓縮時(shí)）。得益于該性能，此器件適合用于高效率應(yīng)用。

功能

頻率范圍：直流至20GHz

P1dB輸出功率：28dBm（典型值）

增益：12dB（12GHz時(shí)典型值）

PAE：55%（12GHz時(shí)典型值）

噪聲系數(shù)：1.4dB（12GHz時(shí)典型值）

漏極電壓：8V

漏極電流：97mA

0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)

裸片尺寸：0.41mm x 0.34mm x 0.10mm

無鹵、無鉛、符合RoHS指令

應(yīng)用

通信

雷達(dá)

點(diǎn)對點(diǎn)無線電

衛(wèi)星通信

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