深圳市明佳達電子有限公司原裝現(xiàn)貨供應(yīng) Sinopower SM3319NAQAC-TRG MOSFET晶體管 產(chǎn)品介紹▍產(chǎn)品概述SM3319NAQAC-TRG 是 Sinopower Semiconductor Inc 生產(chǎn)的一款高性能N通道增強型MOSFET晶體管。該器件采用DFN3x3A-8_EP封裝，屬于低壓型（≤40V） 功率器件，在4.5V和10V…
深圳市明佳達電子有限公司原裝現(xiàn)貨供應(yīng) Sinopower SM3319NAQAC-TRG MOSFET晶體管 產(chǎn)品介紹
▍產(chǎn)品概述
SM3319NAQAC-TRG 是 Sinopower Semiconductor Inc 生產(chǎn)的一款高性能N通道增強型MOSFET晶體管。該器件采用DFN3x3A-8_EP封裝，屬于低壓型（≤40V） 功率器件，在4.5V和10V驅(qū)動電壓下均能實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻，有效降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
▍詳細規(guī)格參數(shù)
電氣特性
最大漏源電壓 (VDS)：30V
最大連續(xù)漏極電流 (ID) ：14A
最大導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：24mΩ @ VGS = 10V，35mΩ @ VGS = 4.5V
封裝與物理特性
封裝形式：DFN3x3A-8_EP
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
可靠性與環(huán)保
ESD保護：支持
雪崩耐受能力：Avalanche Rated
環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：無鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
▍產(chǎn)品核心優(yōu)勢
SM3319NAQAC-TRG 之所以能在同類競爭中脫穎而出，得益于其以下突出優(yōu)勢：
卓越的電氣性能
極低的導(dǎo)通電阻：如規(guī)格表所示，其低RDS(ON)能顯著減少功率損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，尤其適合電池供電設(shè)備。
強大的電流處理能力：連續(xù)漏極電流高達14A，能夠應(yīng)對較高的負載需求。
出色的可靠性設(shè)計
雪崩耐受能力：產(chǎn)品經(jīng)過Avalanche Rated認證，能夠承受反向恢復(fù)過程中的雪崩能量，在惡劣的電氣環(huán)境中更加耐用。
全面的測試保障：每顆器件都經(jīng)過100% UIS + Rg 測試，確保其在各種應(yīng)力條件下性能穩(wěn)定一致。
內(nèi)置ESD保護：提供了靜電放電保護，增強了器件在裝配和使用過程中的抗靜電能力。
環(huán)保與安全性
該產(chǎn)品為無鉛器件，并嚴(yán)格符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對環(huán)保的嚴(yán)格要求。
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