IPB117N20NFD 是一款 200V N 溝道 MOSFET 功率晶體管，屬于 OptiMOS? FD 系列。該晶體管專為高功率應用設計，具有低導通電阻、高開關速度和低開啟電壓等優(yōu)點，可提高系統(tǒng)效率和可靠性。

特性

?N溝道，常規(guī)電平

?低Qrr值快速二極管(FD)

?優(yōu)化硬換流耐受性

?極低導通電阻RDS(on)

?175°C工作溫度

?無鉛鍍層；符合RoHS標準

?通過JEDEC1)認證，適用于目標應用

?符合IEC61249-2-21標準的無鹵設計

優(yōu)勢

?最高系統(tǒng)可靠性

?降低系統(tǒng)成本

?最高效率與功率密度

?簡化產品設計

參數

Ciss: 5000 pF

Coss：400 pF

ID（@25°C）最大值：84 A

IDpuls 最大值：336 A

安裝方式：SMD

工作溫度：-55 °C 至 175 °C

封裝：D2PAK（TO-263）

引腳數：3 針

極性：N

Ptot 最大值：300 W

QG（典型值 @10V）：65 nC

RDS(on) (@10V) 最大值：11.7 mΩ

RthJA 最大值：62 K/W

RthJC 最大值：0.5 K/W

Rth：0.5 K/W

特殊特性：快速二極管

VDS max：200 V

VGS(th)：3 V

IPB117N20NFD 廣泛應用于以下領域：

電動汽車充電器：提供高效率的電源轉換。

電動汽車驅動器：確保電機驅動的高可靠性。

電源轉換器：在工業(yè)和消費電子中提供高效電源轉換。

電機驅動器：用于各種電機控制應用。

工業(yè)自動化設備：確保高可靠性和穩(wěn)定性。

太陽能逆變器：在可再生能源系統(tǒng)中提供高效的 DC-AC 轉換。

電池管理系統(tǒng)：確保電池的高效管理和保護。

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