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規(guī)格型號(hào)
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參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買(mǎi)數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說(shuō)明：40V，P溝道溝槽型MOSFET
封裝：LFPAK56
產(chǎn)品說(shuō)明：40 V，N溝道，最大3.9 mΩ，汽車(chē)MOSFET，S3O8 (3x3)，OptiMOS? 5
封裝：PG-TDSON-8
產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? FD功率晶體管，200V
封裝：PG-TO263-3
產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 800 V 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-3-31
封裝：PG-TO220-3
產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 25 A TO-247
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A TO-247
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 54 A TO-247
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V，750毫歐姆，TO-263-7 XL（D2PAK-7L XL）封裝，MA系列分立式mSiC? MOSFET
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V，180毫歐姆，PSMT封裝，MA系列離散式mSiC? MOSFET
封裝：PSMT-16
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V，80毫歐姆，TO-247-4缺口封裝，MB系列分立式mSiC? MOSFET
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 650V 75A TO-247A 內(nèi)置 FRD
封裝：TO-247A
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V，300A，SP6LI，相腿IGBT模塊
封裝：SP6LI
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V，300A，SP6LI，相腿IGBT模塊
封裝：SP6LI
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V，600A，D3，相腿IGBT模塊
封裝：D3
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V，300A，SP6C，全橋IGBT模塊
封裝：SP6C
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V, 300A, SP6C，雙共發(fā)射極IGBT模塊
封裝：SP6C電話咨詢：86-755-83294757
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