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產(chǎn)品說明:IGBT 650V 75A TO-247A 內(nèi)置 FRD
封裝:TO-247A產(chǎn)品說明:1700V,300A,SP6LI,相腿IGBT模塊
封裝:SP6LI產(chǎn)品說明:1700V,300A,SP6LI,相腿IGBT模塊
封裝:SP6LI產(chǎn)品說明:1700V,300A,SP6C,全橋IGBT模塊
封裝:SP6C產(chǎn)品說明:1700V, 300A, SP6C,雙共發(fā)射極IGBT模塊
封裝:SP6C產(chǎn)品說明:1700V,300A,SP6C,相腿IGBT模塊
封裝:SP6C產(chǎn)品說明:100 V,雙N溝道,最大35 mΩ,汽車MOSFET,雙SSO8封裝(5x6),OptiMOS?-T2
封裝:PG-TDSON-8產(chǎn)品說明:N溝道950 V、典型值1歐姆、9安培MDmesh K5功率MOSFET,采用TO-247封裝
封裝:TO-247產(chǎn)品說明:600V CoolMOS?CE功率晶體管
封裝:PG-TO220-FP產(chǎn)品說明:MOSFET N溝道 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
封裝:PG-TO220-3產(chǎn)品說明:StrongIRFET? 30V功率MOSFET,采用DPAK封裝
封裝:TO-252產(chǎn)品說明:MOSFET N-通道 700V 6A TO220FP CoolMOS CFD2
封裝:PG-TO220產(chǎn)品說明:采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET
封裝:TO-247AC產(chǎn)品說明:OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開關(guān)性能
封裝:PG-TSDSON-8電話咨詢:86-755-83294757
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